Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 421 A, 30 V, 8-Pin PowerPak SO-8DC SIDR500EP-T1-RE3

N-Channel MOSFET, 421 A, 30 V, 8-Pin PowerPak SO-8DC SIDR500EP-T1-RE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030792878
Артикул
SIDR500EP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PowerPak SO-8DC
Цена по запросу
(от 400 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка МОП-транзисторов Vishay siliconix включает в себя широкий спектр передовыx теxнологий. МОП-транзисторы - это транзисторные устройства, управляемые конденсатором.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePowerPak SO-8DC
КорпусSO-8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation150Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage30 V
Drain Source On State Resistance390мкОм
Maximum Continuous Drain Current421 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen V Series
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока421А
Пороговое Напряжение Vgs2.2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А421
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00039 Ом

Техническая документация