SIDR392DP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062357031
- Артикул
- SIDR392DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 125Вт
- Drain Source On State Resistance
- 470мкОм
Цена по запросу
(от 384,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Vishay N-Channel 30 В (D-S) оснащен функцией оxлаждения с верxней стороны, что обеспечивает дополнительное пространство для теплопередачи.
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Drain Source On State Resistance | 470мкОм |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 470мкОм |