SIDR392DP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044404949
- Артикул
- SIDR392DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 502 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Функция оxлаждения МОП-транзистора TrenchFET® Gen IV power с верxней стороны обеспечивает дополнительное пространство для теплопередачи
Технические параметры
| Width | 5mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PowerPAK SO-8DC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +20 V, +6 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 900 μΩ |
| Drain Source On State Resistance | 470мкОм |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 470мкОм |