Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 415 A, 25 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR220EP-T1-RE3

N-Channel MOSFET, 415 A, 25 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR220EP-T1-RE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014584862
Артикул
SiDR220EP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PowerPAK SO-8DC
Цена по запросу
(от 945,06 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Vishay TrenchFET® - это мощный N-канальный МОП-транзистор четвертого поколения, который работает при напряжении 25 В и температуре 175°C.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePowerPAK SO-8DC
КорпусSO-8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation150Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage25 V
Drain Source On State Resistance480мкОм
Maximum Continuous Drain Current415 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока415А
Рассеиваемая Мощность150Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.1В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds25В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)480мкОм
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А415
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00048 Ом

Техническая документация