Моя заявка (0)
SIDR104AEP-T1-RE3, MOSFETs SOT669 100V 90.5A N-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024360124
Артикул
SIDR104AEP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Package Type
PowerPAK SO-8DC
Цена по запросу
(от 353,23 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Vishay TrenchFET® - это мощный N-канальный МОП-транзистор IV поколения, который работает при напряжении 100 В и температуре 175°C.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel TypeN Channel
Package TypePowerPAK SO-8DC
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation120Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage100 V
Drain Source On State Resistance0.0049Ом
Maximum Continuous Drain Current90.5 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока90.5А
Рассеиваемая Мощность120Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0049Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А104
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация