SIAA02DJ-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070119189
- Артикул
- SIAA02DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 19Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.0035Ом
Цена по запросу
(от 65,38 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 19Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.0035Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 52А |
| Рассеиваемая Мощность | 19Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SC-70 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0035Ом |