SIA938DJT-T1-GE3, MOSFETs SC70 2NCH 20V 4.5A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024120517
- Артикул
- SIA938DJT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 88,02 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двойной N-канальный МОП-транзистор Vishay обеспечивает исключительную универсальность при проектировании систем управления питанием. Очень низкий RDS (вкл.) и превосxодный RDS x Qg
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SC-70-6L Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Power Dissipation N Channel | 7.8Вт |
| Power Dissipation P Channel | 7.8Вт |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0215 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV Series |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 7.8Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.017Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.017Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SC-70 |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 4.5А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 4.5А |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.017Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |