SIA923EDJ-T1-GE3, Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.044 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009261623
- Артикул
- SIA923EDJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.001
- Структура
- P-Channel
- Особенности
- полевая сборка
- Линейка Продукции
- Trench
Цена по запросу
(от 127 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Линейка Продукции | Trench |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 7.8Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 500мВ |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SC70 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.044Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.044 Ом |