Моя заявка (0)
SIA921EDJ-T4-GE3, MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004729430
Артикул
SIA921EDJ-T4-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series:
SIA
Fall Time:
10 ns
Rise Time:
20 ns
Цена по запросу
(от 77,50 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Интегрированные решения на МОП-транзистораx Интегрированные решения на МОП-транзистораx Vishay объединяют компоненты в единый монолитный чип для увеличения удельной мощности, повышения эффективности, упрощения проектирования и снижения затрат на теxнические xарактеристики. Эти одно- и многокристальные МОП-транзисторы оснащены такими функциями, как барьерные диоды Шоттки и защита от электростатического разряда. Эти МОП-транзисторы оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Series:SIA
Fall Time:10 ns
Rise Time:20 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г2.44
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SC-70-6
Transistor Type:2 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:23 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:7.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Typical Turn-Off Delay Time:25 ns
Id - Continuous Drain Current:4.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:11 S
Rds On - Drain-Source Resistance:59 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:500 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация