SIA921EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566048
- Артикул
- SIA921EDJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 10 ns, 10 ns
- Rise Time:
- 20 ns, 20 ns
- Вес, г
- 0.03
Цена по запросу
(от 126 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Vishay Industrial Power Solutions предлагает широкий выбор полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 10 ns, 10 ns |
| Rise Time: | 20 ns, 20 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SC-70-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SIA921EDJ-GE3 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 7.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns, 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns, 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S, 11 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 48 mOhms, 48 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |