SIA911ADJ-T1-GE3, MOSFETs 20V 4.5A 6.5W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005545756
- Артикул
- SIA911ADJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.03
- Серия
- SIA
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 61,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V 4.5A 6.5W
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Серия | SIA |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SC-70-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 13 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 6.5 W |
| Другие названия товара № | SIA911ADJ-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 205 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 6.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |