Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026381593
Артикул
SIA910EDJ-T1-GE3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.02
Структура
MOSFET
Особенности
-
Пороговое напряжение на затворе
-
Цена по запросу
(от 140 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.02
СтруктураMOSFET
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В