SIA910EDJ-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070193821
- Артикул
- SIA910EDJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 12 ns
- Rise Time:
- 12 ns
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 70,66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Интегрированные решения на МОП-транзистораx Vishay Integrated MOSFET Solutions объединяют компоненты в единый монолитный чип для повышения удельной мощности и эффективности, упрощения проектирования и снижения затрат на изготовление спецификации. Эти одно- и многокристальные МОП-транзисторы оснащены такими функциями, как барьерные диоды Шоттки и защита от электростатического разряда. Эти МОП-транзисторы оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SC-70-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SIA910EDJ-GE3 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 7.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 23 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |