SIA907EDJT-T1-GE3, MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004641790
- Артикул
- SIA907EDJT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.03
- Серия
- SIA
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 141,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Серия | SIA |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns, 10 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SC70-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 23 nC, 23 nC |
| Время нарастания | 15 ns, 15 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 7.8 W |
| Другие названия товара № | SIA907EDJT-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 47 mOhms, 47 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns, 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns, 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S, 11 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |