SIA817EDJ-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070183081
- Артикул
- SIA817EDJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Длина
- 2.05 mm
- Серия
- SIA
- Высота
- 0.75 mm
Цена по запросу
(от 57,60 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 2.05 mm |
| Серия | SIA |
| Высота | 0.75 mm |
| Ширина | 2.05 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 6.5W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SC70-6 |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.5A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Время нарастания | 20 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 6.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Коммерческое обозначение | LITTLE FOOT, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 54 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9 S |