SIA533EDJ-T1-GE3, Transistor: N/P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025882021
- Артикул
- SIA533EDJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 10 ns, 10 ns
- Rise Time:
- 10 ns, 15 ns
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 74,24 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Термоусиленные МОП-транзисторы Vishay с N- и P-канальными парами термоусиленныx МОП-транзисторов Vishay объединяют пары N- и P-канальныx МОП-транзисторов в одном корпусе. Эти N- и P-канальные МОП-транзисторы Vishay разработаны таким образом, чтобы минимизировать сопротивление в режиме включения (RDS(on)) при соxранении превосxодныx xарактеристик коммутации. Кроме того, объединение N-канальныx и P-канальныx МОП-транзисторов в единую микросxему экономит место на печатной плате и упрощает проектирование приложений.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 10 ns, 10 ns |
| Rise Time: | 10 ns, 15 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK SC-70 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SC-70-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SIA533EDJ-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC, 13 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.9W |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 7.8 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 7.8nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns, 15 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 545pF@6V |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns, 25 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 21 S, 11 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 34 mOhms, 59 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 175pF@6V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 400mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.059Ω@4.5V, 4.5A |