SIA527DJ-T1-GE3, Transistor: N/P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017609101
- Артикул
- SIA527DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 10 ns, 15 ns
- Rise Time:
- 10 ns, 22 ns
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 49,28 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Интегрированные решения на МОП-транзистораx Vishay Integrated MOSFET Solutions объединяют компоненты в единый монолитный чип для повышения удельной мощности и эффективности, упрощения проектирования и снижения затрат на изготовление спецификации. Эти одно- и многокристальные МОП-транзисторы оснащены такими функциями, как барьерные диоды Шоттки и защита от электростатического разряда. Эти МОП-транзисторы оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 10 ns, 15 ns |
| Rise Time: | 10 ns, 22 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SC-70-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC, 26 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 7.8W |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 7.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns, 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns, 32 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 21 S, 12 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 29 mOhms, 41 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 29mΩ@4.5V, 5A |