SIA485DJ-T1-GE3, MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004641789
- Артикул
- SIA485DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SIA
- Tradename:
- TrenchFET
- Вес, г
- 0.05
Цена по запросу
(от 63,33 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SIA |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-70-6 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 15.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.7 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |