SIA483DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А; 12Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566047
- Артикул
- SIA483DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 30 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 126,79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Vishay Industrial Power Solutions предлагает широкий выбор полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-70-6 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 19 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.2V @ 250uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 37 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 23 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 21mО© @ 5A,10V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 19W(Tc) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.8 Ohms |