SIA483ADJ-T1-GE3, MOSFETs SC70 P-CH 30V 10.6A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006210207
- Артикул
- SIA483ADJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- P
- Package Type
- PowerPAK SC-70
- Mounting Type
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 55,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор P-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK SC-70 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 16 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay/Siliconix |
| Упаковка / блок | SC-70-6 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Время нарастания | 95 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.6 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 17.9 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Крутизна характеристики, S | 25 S |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 483 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 25 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 5 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 16 mOhms |