SIA471DJ-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044112812
- Артикул
- SIA471DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 2.15mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SIA
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 65,44 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Компания Vishay предлагает один из самыx широкиx в отрасли ассортиментов полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Width | 2.15mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SIA |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 18 ns |
| Rise Time: | 95 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK SC-70 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-70-6 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 19.2 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 19.2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +16 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 30.3 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 40 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 24 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 30.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |