SIA469DJ-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017629813
- Артикул
- SIA469DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Mounting
- SMD
- Technology
- TrenchFET®
- Вес, г
- 0.02
- Gate charge
- 32nC
Цена по запросу
(от 59,88 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Mounting | SMD |
| Technology | TrenchFET® |
| Вес, г | 0.02 |
| Gate charge | 32nC |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -12A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 15.6W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Drain-source voltage | -30V |
| Pulsed drain current | -40A |
| Особенности | - |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |