SIA466EDJ-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070100594
- Артикул
- SIA466EDJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Длина
- 2.05 mm
- Серия
- SIA
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 74,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 2.05 mm |
| Серия | SIA |
| Channel Type | N Channel |
| Высота | 0.75 mm |
| Ширина | 2.05 mm |
| Power Dissipation | 19.2Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SC-70-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Drain Source On State Resistance | 0.0079Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 25А |
| Рассеиваемая Мощность | 19.2Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 19.2 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SC-70 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0079Ом |