Моя заявка (0)

SIA466EDJ-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount

SIA466EDJ-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004137128
Артикул
SIA466EDJ-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.18
Длина
2.05 mm
Серия
SIA
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 120 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

Технические параметры

Вес, г0.18
Длина2.05 mm
СерияSIA
Channel TypeN Channel
Высота0.75 mm
Ширина2.05 mm
Power Dissipation19.2Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокSC-70-6
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора20 nC
Drain Source On State Resistance0.0079Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов6вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока25А
Рассеиваемая Мощность19.2Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Pd - рассеивание мощности19.2 W
Id - непрерывный ток утечки25 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SC-70
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток9.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0079Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0079 Ом

Техническая документация