SIA456DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,6А; Idm: 2А; 12Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048728972
- Артикул
- SIA456DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.10.00.80
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Vishay SIA456DJ представляет собой N-канальный МОП-транзистор с напряжением сток-исток (Vds) 200 В и напряжением затвор-исток (VGS) 16 В.
Технические параметры
| HTS | 8541.10.00.80 |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Package Width | 2.05 |
| Package Height | 0.75 |
| Package Length | 2.05 |
| EDA / CAD Models | SIA456DJ-T1-GE3 by Ultra Librarian |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerPAK SC-70 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | MOSFET |
| Typical Fall Time (ns) | 20|12 |
| Typical Rise Time (ns) | 25|20 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3500 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 9.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 9.5@10V|5@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5|10 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30|16 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 350@100V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 1380@4.5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.8 Ohms |