Моя заявка (0)

SIA456DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,6А; Idm: 2А; 12Вт

SIA456DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,6А; Idm: 2А; 12Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048728972
Артикул
SIA456DJ-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
HTS
8541.10.00.80
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 140 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Vishay SIA456DJ представляет собой N-канальный МОП-транзистор с напряжением сток-исток (Vds) 200 В и напряжением затвор-исток (VGS) 16 В.

Технические параметры

HTS8541.10.00.80
PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Вес, г0.05
PCB changed6
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain
Package Width2.05
Package Height0.75
Package Length2.05
EDA / CAD ModelsSIA456DJ-T1-GE3 by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePowerPAK SC-70
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyTrenchFET
СтруктураMOSFET
Typical Fall Time (ns)20|12
Typical Rise Time (ns)25|20
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3500
Typical Gate Charge @ 10V (nC)9.5
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)9.5@10V|5@4.5V
Maximum Gate Source Voltage (V)±16
Typical Turn-On Delay Time (ns)5|10
Maximum Drain Source Voltage (V)200
Typical Turn-Off Delay Time (ns)30|16
Maximum Gate Threshold Voltage (V)1.4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)2.6
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)350@100V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)1380@4.5V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.8 Ohms

Техническая документация