SIA449DJ-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -30A; 12W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041536342
- Артикул
- SIA449DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 2.15mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.03
Цена по запросу
(от 43,99 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 2.15mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-363 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 19 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Maximum Drain Source Resistance | 38 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.4 A |