SIA449DJ-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001060838
- Артикул
- SIA449DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 2.15mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 2.15mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-363 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 19 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Maximum Drain Source Resistance | 38 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.4 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |