TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 12 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA447DJ-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057891670
- Артикул
- SIA447DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 1.7mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 70,10 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 1.7mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK SC-70 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 19 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 52 nC @ 8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 71 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |