Моя заявка (0)
SIA445EDJ-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8041298899
Артикул
SIA445EDJ-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Series:
SIA
Fall Time:
20 ns
Rise Time:
25 ns
Цена по запросу
(от 113 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для промышленного электроснабжения Компания Vishay предлагает один из самыx широкиx в отрасли ассортиментов полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Series:SIA
Fall Time:20 ns
Rise Time:25 ns
Tradename:TrenchFET, PowerPAK
Вес, г0.04
Technology:Si
Channel TypeP
Package TypePowerPAK SC-70
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SC-70-6
Part # Aliases:SIA445EDJ-GE3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:48 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:19 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Maximum Drain Source Voltage20 V
Typical Turn-Off Delay Time:55 ns
Id - Continuous Drain Current:12 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:29 S
Maximum Continuous Drain Current12 A
Rds On - Drain-Source Resistance:16.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация