SIA444DJT-T1-GE3-VB, SC-70-6L MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026381118
- Артикул
- SIA444DJT-T1-GE3-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.03
- Структура
- MOSFET
- Power Dissipation (Pd)
- 2.5W
- Особенности
- -
Цена по запросу
(от 113,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 23mΩ@10V, 5.5A |