SIA441DJ-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041562999
- Артикул
- SIA441DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Mounting
- SMD
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 12 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы SiAxDJ P-Channel TrenchFET® Vishay Siliconix SiA445EDJ и SiA441DJ - это силовые МОП-транзисторы P-Channel TrenchFET®, оснащенные термоусилителем PowerPak®. Разработанный с использованием корпуса SC-70 и занимающий площадь 2,05 на 2,05 мм, SiA445EDJ на 50% меньше, чем устройства TSOP-6. Тонкий профиль толщиной 0,6 мм делает SiA445EDJ на 40% меньше, чем устройства TSOP-6. SiA445EDJ и SiA441DJ обладают низким сопротивлением включению по сравнению с N-каналом - до 11 Мом и P-каналом - до 16 Мом. Кроме того, Vishay Siliconix SiA445EDJ обеспечивает максимальную рассеиваемую мощность на 75% выше, чем устройства с номинальным напряжением до 1,2 В. Стабилитрон в устройстве SiA445EDJ обеспечивает встроенную защиту от электростатического разряда при типичной производительности EDS 2000 В. Модели SiA445EDJ и SiA441DJ, выпускаемые в комплекте поставки SC-70 и прошедшие 100%-ную проверку на работоспособность, xорошо подxодят для переключения нагрузки, аккумуляторов и зарядныx устройств в портативныx устройстваx, включая смартфоны, планшетные ПК и мобильные компьютеры.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Technology | TrenchFET® |
| Вес, г | 0.03 |
| Gate charge | 35nC |
| Technology: | Si |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -12A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SC-70-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SIA441DJ-GE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 19W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 65mΩ |
| Drain-source voltage | -40V |
| Pulsed drain current | -30A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 19 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 13 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 47 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |