Моя заявка (0)

SIA440DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

SIA440DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060029594
Артикул
SIA440DJ-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Вес, г
0.04
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 68,65 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:SC-70-6
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:21.5 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:19 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Id - Continuous Drain Current:12 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-50 C
Rds On - Drain-Source Resistance:26 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:600 mV

Техническая документация