Моя заявка (0)
SIA437DJ-T1-GE3, MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005513249
Артикул
SIA437DJ-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
HTS
8541.29.00.95
PPAP
No
SVHC
Yes
EU RoHS
Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 100,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Vishay SIA437DJ представляет собой P-канальный МОП-транзистор с напряжением сток-исток (Vds) -20 В и напряжением затвор-исток (VGS) 8 В.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
PPAPNo
SVHCYes
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed6
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ConfigurationSingle Quad Drain
Package Width2.05
Package Height0.75
Package Length2.05
EDA / CAD ModelsSIA437DJ-T1-GE3 by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePowerPAK SC-70
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyTrenchFET
СтруктураMOSFET
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)34|37
Typical Rise Time (ns)22|10
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3500
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)28@4.5V|60@8V
Maximum Gate Source Voltage (V)±8
Typical Turn-On Delay Time (ns)20|10
Maximum Drain Source Voltage (V)20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)120|100
Maximum Gate Threshold Voltage (V)0.9
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-50
Maximum Continuous Drain Current (A)29.7
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2340@10V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)14.5@4.5V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация