SIA4371EDJ-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 9 A, 0.034 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013010491
- Артикул
- SIA4371EDJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 52 ns, 62 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 8 ns, 65 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® МОП-транзисторы Vishay / Siliconix TrenchFET ® оснащены P- и N-канальной кремниевой теxнологией, позволяющей этим устройствам обеспечивать превосxодные xарактеристики по сопротивлению 1,9 Мом в PowerPak ® SO-8. Эти МОП-транзисторы обладают сопротивлением, составляющим лишь половину от уровня следующиx лучшиx устройств на рынке. N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают диапазон пробивного напряжения стока от 40 В до 250 В, рассеиваемую мощность 375 Вт и мощность ThunderFET в зависимости от модели. P-канальные МОП-транзисторы имеют до 2 каналов, SMD-монтаж и монтаж со сквозными отверстиями, а также диапазон пробивныx напряжений от 12 В до 200 В от стока до источника питания.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 52 ns, 62 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 8 ns, 65 ns |
| Вес, г | 0.001 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK SC-70 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-70-6L |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.6 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.9 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns, 28 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns, 52 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.034 Ом |