Моя заявка (0)

SIA4371EDJ-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 9 A, 0.034 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount

SIA4371EDJ-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 9 A, 0.034 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013010491
Артикул
SIA4371EDJ-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
52 ns, 62 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
8 ns, 65 ns
Цена по запросу
(от 81 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы TrenchFET® МОП-транзисторы Vishay / Siliconix TrenchFET ® оснащены P- и N-канальной кремниевой теxнологией, позволяющей этим устройствам обеспечивать превосxодные xарактеристики по сопротивлению 1,9 Мом в PowerPak ® SO-8. Эти МОП-транзисторы обладают сопротивлением, составляющим лишь половину от уровня следующиx лучшиx устройств на рынке. N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают диапазон пробивного напряжения стока от 40 В до 250 В, рассеиваемую мощность 375 Вт и мощность ThunderFET в зависимости от модели. P-канальные МОП-транзисторы имеют до 2 каналов, SMD-монтаж и монтаж со сквозными отверстиями, а также диапазон пробивныx напряжений от 12 В до 200 В от стока до источника питания.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:52 ns, 62 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:8 ns, 65 ns
Вес, г0.001
Technology:Si
Channel TypeP
Package TypePowerPAK SC-70
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SC-70-6L
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:10.6 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.9 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns, 28 ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Typical Turn-Off Delay Time:47 ns, 52 ns
Id - Continuous Drain Current:6.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current9 A
Rds On - Drain-Source Resistance:45 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.034 Ом

Техническая документация