SIA432DJ-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 12 A, 0.0158 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8316122484
- Артикул
- SIA432DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 2.05 mm
- Серия
- SIA
- Высота
- 0.75 mm
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 2.05 mm |
| Серия | SIA |
| Высота | 0.75 mm |
| Ширина | 2.05 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SC-70-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 19.2 W |
| Другие названия товара № | SIA432DJ-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0158 Ом |