Транзистор полевой SIA427ADJ-T1-GE3 MOSFET P-Ch 8V 12A, 2022 г.в.
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070018127
- Артикул
- SIA427ADJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 19Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.013Ом
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Минимальный заказ: 7 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор SIA427ADJ-T1-GE3 — изделие серии SIA427. Характеристики Обозначение: SIA427ADJ-T1-GE3 Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET P-Ch 8V 12A Масса: 2 г Год выпуска: 2022 Производитель: Vishay Единица измерения: шт
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 19Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.013Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Рассеиваемая Мощность | 19Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 8В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SC-70 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.013Ом |