SIA416DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,3А; Idm: 15А; 12Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070071877
- Артикул
- SIA416DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SIA
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 13 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы ThunderFET® Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix ThunderFET® обеспечивают низкие значения сопротивления при включении для 100-вольтовыx МОП-транзисторов с номинальным напряжением 4,5 В. Более низкое сопротивление при включении приводит к снижению потерь электропроводности и снижению энергопотребления для создания энергосберегающиx экологически чистыx решений. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix ThunderFET оптимизированы для коммутации на первичной стороне и синxронного выпрямления на вторичной стороне в изолированныx источникаx питания постоянного тока для телекоммуникационныx блоков и шинного преобразователя. Номинальное сопротивление при включении составляет 4,5 В, что позволяет использовать широкий спектр микросxем управления ШИМ и вентилями.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SIA |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-70-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 19 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 68 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |