SIA414DJ-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017642145
- Артикул
- SIA414DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- SIA
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 124,39 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | SIA |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 20 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SC-70-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Время нарастания | 10 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 19 W |
| Другие названия товара № | SIA414DJ-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 8 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 65 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 350 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |