SIA110DJ-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 12 A, 0.046 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001538887
- Артикул
- SIA110DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Вес, г
- 2
- No. of Pins
- 6Pins
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 236 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 12 А; Напряжение источника стока Vds: 100 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,046 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs:4
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Вес, г | 2 |
| No. of Pins | 6Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | TrenchFET Gen IV |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | PowerPAK SC-70 |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 12A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 19 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10V |