Моя заявка (0)

SIA108DJ-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount

SIA108DJ-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001555958
Артикул
SIA108DJ-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
9
Channel Type
N Channel
Package Type
PowerPAK SC-70
Mounting Type
Surface Mount
Цена по запросу
(от 172 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковый N-канальный моп-транзистор Vishay Semiconductor на 80 В (D-S) применяется в качестве основного бокового переключателя, постоянного тока, преобразователя постоянного тока, переключателя привода двигателя, повышающего преобразователя, светодиодной подсветки.

Технические параметры

Вес, г9
Channel TypeN Channel
Package TypePowerPAK SC-70
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation19Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage80 V
Drain Source On State Resistance0.032Ом
Maximum Continuous Drain Current6.6 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока12А
Рассеиваемая Мощность19Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SC70
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.032Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.032 Ом

Техническая документация