TrenchFET N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051570296
- Артикул
- SiA106DJ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 19Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 150,21 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 19Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Drain Source On State Resistance | 0.0142Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Рассеиваемая Мощность | 19Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SC70 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0142Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |