SI9945BDY-T1-GE3, 60V Vds 20V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025587540
- Артикул
- SI9945BDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SO8
- Width
- 4mm
- RDS-on
- 58@10V mOhm
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 85,41 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Width | 4mm |
| RDS-on | 58@10V mOhm |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.12 |
| Gate charge | 20nC |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | SOIC |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | SO-8 |
| Drain current | 5.3A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 2W |
| Typical Fall Time | 10 ns |
| Typical Rise Time | 65I15 ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Max Processing Temp | 250 |
| On-state resistance | 58mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 20A |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 15I10 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15I20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 72 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.3 A |
| Крутизна характеристики, S | 15 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |