SI9933CDY-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -4А, 2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024644855
- Артикул
- SI9933CDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.11
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- -
- Пороговое напряжение на затворе
- 1.4V@250uA
Цена по запросу
(от 85 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -4А, 2Вт, SO8
Технические параметры
| Вес, г | 0.11 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 58mΩ@4.5V, 4.8A |