SI9933CDY-T1-GE3, Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 4 A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010076011
- Артикул
- SI9933CDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.2
- Структура
- P-Channel
- Особенности
- полевая сборка
- Пороговое напряжение на затворе
- 1.4V@250uA
Цена по запросу
(от 118 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -4А, 2Вт, SO8
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 58mΩ@4.5V, 4.8A |