SI9933CDY-T1-E3, Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8914032381
- Артикул
- SI9933CDY-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 113 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs SO-8
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.113 |
| Серия | SI9 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC N |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | P-Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SO |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 13 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 3.1W |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Rise Time (ns) | 50 |
| Особенности | полевая сборка |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 26nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 665pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 17 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8@4.5V|17@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 220 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 21 |
| Время нарастания | 50 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 29 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 1.7 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.5 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 2.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -50 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 665@10V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 10 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 58@4V |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
| Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 17@2.5V|15@4.5V |
| Другие названия товара № | SI9933CDY-E3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 58 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 50 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 29 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 58mΩ@4.5V, 4.8A |