SI9926CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070100965
- Артикул
- SI9926CDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.25
- Transistor Polarity
- 2 N Channel(Double)
- Vgs - Gate-Source Voltage
- 1.5V @ 250uA
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 18mО© @ 8.3A,4.5V
Цена по запросу
(от 139,49 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.25 |
| Transistor Polarity | 2 N Channel(Double) |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V @ 250uA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 18mО© @ 8.3A,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2W |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 8A |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Рассеиваемая Мощность | 3.1Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | NSOIC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.015Ом |