SI9435BDY-T1-GE3, 30V 4.1A 42mOhm@5.7A,10V 1.3W P Channel SO-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070094866
- Артикул
- SI9435BDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.25
- Серия
- SI9
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 136,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V
Технические параметры
| Вес, г | 0.25 |
| Серия | SI9 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 24 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Другие названия товара № | SI9435BDY-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.7 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 42 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |