SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор полевой,МОП р-канальный, -60В, -4А, 5Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022643151
- Артикул
- SI9407BDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 4mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.56
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 44,44 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой,МОП р-канальный, -60В, -4А, 5Вт, SO8
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.56 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 150 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.8 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |