Моя заявка (0)
SI8824EDB-T2-E1, MOSFETs 20V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069724246
Артикул
SI8824EDB-T2-E1
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.4
Длина
1.6 mm
Серия
SI8
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 24 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 20V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Технические параметры

Вес, г0.4
Длина1.6 mm
СерияSI8
Channel TypeN Channel
Package Type4-Microfoot
Высота0.65 mm
Ширина1.6 mm
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation900мВт
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада10 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокMicroFoot-4
Maximum Drain Source Voltage20 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора6 nC
Время нарастания20 ns
Drain Source On State Resistance0.06Ом
Maximum Continuous Drain Current2.1 A
Линейка ПродукцииTrench
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов4вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока2.9А
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs800мВ
Pd - рассеивание мощности900 mW
Id - непрерывный ток утечки2.9 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораMICRO FOOT
Vgs - напряжение затвор-исток5 V, + 5 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток60 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе-5 V, +5 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения17 ns
Типичное время задержки при включении5 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток350 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.11 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)43mΩ

Техническая документация