SI8821EDB-T2-E1, 30V 135m @4.5V 1 P-Channel 500mW XFBGA-4 Single FETs, MOSFETs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057895020
- Артикул
- SI8821EDB-T2-E1
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 15 ns
- Rise Time:
- 20 ns
- Вес, г
- 0.05
Цена по запросу
(от 78,03 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Vishay Industrial Power Solutions предлагает широкий выбор полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | MicroFoot-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 105 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |